首页 > IC > I-1079页 >

IPD25CNE8NG

供应查询
您是不是要找：IPD25DP06LMATMA1IPD25DP06LMSAUMA1IPD25DP06NMATMA1IPD25N06IPD25N06S2
IPD25CNE8NG
INFINEON
TO252-3
2023+
11278
全新进口原装现货,保证质量
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IPD25CNE8NG
InfineonTechno..
TO-252-3,DPa..
2023+
1250
全新进口原装现货品质保证
深圳市科锦电子有限公司 VIP会员
电话：18923786596
联系人：肖小姐
QQ询价
IPD25CNE8NG
INFINEON
TO252-3
2023+
20000
品质保证,价格优惠
深圳市同亨电子有限公司.. VIP会员
电话：0755-23816885
联系人：洪小姐
QQ询价
IPD25CNE8NG
INFINEON
TO252-3
2023+
7820
全新原装现货，价格优惠
IPD25CNE8NG
英飞凌
TO-252
2023+
2500
低价格.高品质.服务好.现..
相关型号： IPD25CNE8N G IPD25CN10N G IPD250N06N3 G IPD230N06N G IPD22N08S2L-50 IPD220N06L3 G

IPD25CNE8N G
PDF资料下载

IPD25CNE8N G参数：MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：85V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@35A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@39µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2070pF@40V
功率-最大值：71W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3

关于我们|联系我们|网站申明|网站地图
© 2010 搜电网